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一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

2018年9月21日(金) 13:15 〜 18:00 232 (232)

徳田規夫(金沢大)、鈴木真理子(コーンズテクノロジー)、竹内大輔(産総研)、宮崎久生(東芝)

13:45 〜 14:00

[21p-232-3] ヘテロエピタキシャルダイヤモンド基板の化学機械平坦化(CMP)処理による電気特性の評価

〇木村豊¹、金聖祐¹、桝谷聡士²、大山幸希¹、池尻憲次朗¹、嘉数誠² (1.アダマンド並木精密宝石、2.佐賀大院工)

キーワード：ダイヤモンド、化学機械平坦化