[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

[21p-232-6] ダイヤモンド-Al₂O₃界面のバンドアライメント分析

〇宮崎 久生¹、酒井 忠司¹、木村 重哉¹、松本 翼^2,3、長井 雅嗣²、徳田 規夫^2,3、加藤 宙光³、加藤 有香子³、小倉 政彦³、牧野 俊晴³、山崎 聡³ (1.東芝研究開発センター、2.金沢大、3.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、バンドアライメント

ダイヤモンドMOSFETにおける半導体-絶縁体界面の物性理解の第一段階として、ダイヤモンド-Al₂O₃界面のバンドアライメント分析を行った。OあるいはOH終端したダイヤモンド基板にAl₂O₃をALDし、XPSによってバンドオフセットを評価した。結果、Al₂O₃成膜前の終端による電子親和力の違いを反映したと思われる傾向が現れた。OH終端でALDが理想的に行われた場合に期待される結果とは異なっており、表面処理やAl₂O₃の成膜条件について検討が必要である。