[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-232-8] ダイヤモンドMOSFETにおける電界効果移動度の不純物濃度依存

〇松本 翼¹、加藤 宙光²、牧野 俊晴²、小倉 政彦²、竹内 大輔²、猪熊 孝夫¹、山崎 聡^1,2、徳田 規夫^1,2 (1.金沢大、2.産総研)

キーワード：ダイヤモンド、MOS、移動度

究極のパワーデバイスとして期待される反転層チャネルダイヤモンドMOSFETが実現したが、ボディの不純物濃度や酸化膜の膜厚などのデバイス設計値がデバイス特性に与える影響は明確になっていない。これらの明確化が、今後の高電流化や高耐圧化に重要な情報となる。そこで本研究では、ダイヤモンドMOSFETの高電流化を目標に、n型ダイヤモンドボディ内のリン濃度[P]が電界効果移動度µ_FEに与える影響を調査した。