[21p-232-1~18] 6.2 カーボン系薄膜

△ [21p-232-9] Al₂O₃/SiO₂界面導入による高ドレイン電流ノーマリオフ2DHGダイヤモンドMOSFET

〇(M1)矢部 太一¹、大井 信敬¹、堀川 清貴¹、大久保 智¹、Jorge J. Buendia¹、蔭浦 泰資¹、河野 省三¹、平岩 篤¹、川原田 洋^1,2 (1.早稲田大学、2.早大材研)

キーワード：ダイヤモンド、MOSFET、ノーマリオフ

我々は2DHGをチャネルとして利用したダイヤモンドMOSFETを作製し、優れた高耐圧特性と幅広い温度領域での安定動作を報告してきた。一般にダイヤモンドMOSFETはノーマリオン動作を示すが、パワーデバイスはノーマリオフ動作が望まれる。本研究では、チャネル上のC-Hダイヤモンド/Al2O3界面にSiO２薄膜を形成し、2DHGの誘起を抑制することでノーマリオフダイヤモンドMOSFETの動作に成功した。