[21p-233-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21p-233-1] Evaluation of the electrical characteristics of thermal oxide film formed by changing the heating profile by a minimal laser heating furnace

〇kazushige sato^1,3, Takashi Chiba^1,3, Masao Terada^1,3, Shinichi Ikeda^1,2, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.MINIMAL, 2.AIST, 3.Sakaguchi E.H VOC Corp.)

Keywords:Minimal Fab, Laser Heating

ミニマルレーザ加熱装置により、熱酸化膜形成時の加熱プロファイルを変えて成膜した熱酸化膜の電気的特性を評価した。酸化の後段で低温酸化がある加熱プロファイルでCV曲線が負側にシフトしていることを確認した。