[21p-233-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21p-233-8] Die-Bonding Process of Half-Inch Wafer for Uniformizing of Laser-Vias

〇Fumito Imura^1,2, Seiji Iwasaki³, Hiroshi Matsushita³, Michihiro Inoue¹, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.ISHII TOOL&ENG.)

Keywords:Minimal Fab

我々はミニマルファブによるハーフインチサイズパッケージの開発を進めてきた。これまで、レーザビアの単体プロセス開発を行い、電気的導通を確認してきた。このレーザビア加工前のプロセス、すなわちダイボンディングプロセスでの接合の良否もレーザビアの形成状態、特にウェハ面内の均一性に影響を与える可能性がある。今回、レーザビア形状をパッケージ面内で均一にするためのダイボンディングプロセスを評価したので報告する。