[21p-233-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21p-233-7] Techniques to improve the grooved pattern through silicon via etching process with minimal ICP deep trench etcher

〇Hiroyuki Tanaka^1,2, Hisato Ogiso^1,2, Shizuka Nakano^1,2, Yoshiyuki Nozawa^2,3, Toshihiro Hayami^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPPT)

Keywords:Through Silicon Via, minimalfab, Bosch Process

ミニマルファブにおけるSi基板深掘りエッチングにボッシュプロセス開発を行っている。高アスペクト比加工を行う際、エッチング進行とともにエッチングレートや加工形状が定常を保てない問題があった。今回、どのパラメータを制御したらよいか、どのような物理量が高アスペクト比エッチングに作用するのかを検討した。その結果、真空度、Bias Duty比、サイクルタイムなど縦方向のエッチングを途中で強化すると効果的と判った。