[21p-233-1~14] 13.4 Si wafer processing /Si based thin film /Interconnect technology/ MEMS/ Integration technology

[21p-233-6] Development and Characterization of Minimal Plasma tool for Metal Etching(２)

〇Masashi Kase¹, Hiroyuki Tanaka^1,3, Yoshiyuki Nozawa^2,3, Toshiyasu Hayami^2,3, Sommawan Khumpuang^1,2, Shiro Hara^1,2 (1.AIST, 2.MINIMAL, 3.SPP Technologies)

Keywords:minimal, metal etching, ICP

産総研ではφ12.5mmのハーフインチウェハに対応したミニマル装置を開発してきた。前回、メタルをエッチングする装置を開発し、Alエッチングの実験結果について報告した。Alエッチングは塩素系のガスを用いるため、エッチング後に大気に暴露すると腐食が発生する。そこで、ミニマルシステムならではのAlエッチング後のシャトル内が窒素雰囲気に保たれていることを利用して、ミニマルシステムではどのような防食プロセスが実用的かの実験を行ったので実例について述べる。