[21p-234B-1~8] 6.4 薄膜新材料

[21p-234B-5] 錯体水素化物研究の新展開を目指した錯イオン転写法によるLiBH₄ エピタキシャル薄膜合成

〇大口 裕之¹、金 相侖²、清水 亮太³、一杉 太郎³、丸山 伸伍⁴、松本 祐司⁴、折茂 慎一^1,2 (1.東北大WPI-AIMR、2.東北大金研、3.東工大物質理工、4.東北大応化)

キーワード：錯体水素化物、エピタキシャル薄膜、錯イオン転写

錯体水素化物は、高密度水素貯蔵特性などが知られる機能性材料であり、その研究飛躍のために、高度な材料設計が可能な高品質薄膜が求められている。しかし、これまで錯体水素化物には低品質薄膜しか存在しなかった。そこで本研究では、出発原料に含有された錯イオンを壊すことなく成膜に利用する“錯イオン転写法”を、赤外レーザー堆積法をベースに確立して、代表的な高品質薄膜であるエピタキシャル薄膜の合成を可能とした。