[21p-331-1~8] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[21p-331-1] Temperature Dependence of Switching Response of NiO/β-Ga₂O₃ Heterojunction Diodes

〇Shinji Nakagomi¹, Kentaro Kikuchi¹, Koji Yano², Yoshihiro Kokubun¹ (1.Ishinomaki Senshu, 2.Univ. of Yamanashi)

Keywords:Ga2O3, switching, high temperature

本研究では, NiO/β-Ga₂O₃間のpnヘテロ接合ダイオードのスイッチング特性に着目し, 高温状態における振る舞いについて実験的に検討した。室温から500℃までの範囲で電流-電圧特性と 過渡的応答波形を測定した。500℃の高温においても良好なスイッチングが可能であること, 温度の上昇に伴って逆方向スイッチング損失が増加することが示された。