[21p-331-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-331-2] 窒素イオン注入を用いて作製したガードリング付き縦型Ga₂O₃ショットキーバリアダイオード

〇林 家弘¹、ワン マンホイ¹、佐藤 万由子²、竹川 直²、小西 敬太²、村上 尚²、熊谷 義直²、東脇 正高¹ (1.情通機構、2.東京農工大院工)

キーワード：酸化ガリウム、ガードリングショットキーバリアダイオード

我々は、Ga₂O₃ SBDの更なる高耐圧化を目指し、アノード電極エッジ下部に、窒素 (N) イオン注入ドーピングによるガードリング (GR) 構造を形成したSBD構造を作製し、その電流密度-電圧 (J-V) 特性評価を行ったので報告する。逆方向J-V結果から、GR付きSBDにおいては、アノード電極エッジ下部に集中するはずの電界が、GR効果により分散され、結果GR無しSBDと比較して約1.5倍の耐圧向上につながった。