[21p-331-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-331-3] SiO₂/β-Ga₂O₃ MOS界面特性に与えるO₂アニール効果の検討

鈴木 叡輝¹、西田 水輝¹、〇喜多 浩之¹ (1.東大院工)

キーワード：Ga2O3、MOS特性、パワーデバイス

Ga₂O₃のMOS特性を制御する上では，Ga₂O₃中の酸素欠損に由来する欠陥準位を抑制するのと同時に，過剰な酸化による劣化を避けることも重要となると予想される。そこでβ-Ga₂O₃上へ堆積したアモルファスSiを酸素アニールすることで形成したSiO₂/Ga₂O₃ MOSキャパシタの特性の酸素アニール条件による違いを調査し，またこれと同時に，各プロセスが与えるGaの化学状態への影響をXPSにより検討した。