[21p-331-1~8] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21p-331-8] シリコン縦型パワーデバイスへのひずみ導入によるオン抵抗低減の基礎的検討

〇井上 毅哉¹、星井 拓也¹、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹、筒井 一生¹ (1.東工大)

キーワード：シリコン縦型パワーデバイス、ピエゾ抵抗効果