[21p-431B-1~7] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[21p-431B-3] 大気中MOCVD法によるZnS窓層の作製と評価

〇岡本 保¹、福井 貴大¹、岡本 祥太¹、多喜 萌¹、麻生 直暉¹、猪狩 朋也¹、瀬戸 悟² (1.木更津高専、2.石川高専)

キーワード：ZnS、II-VI族化合物、窓層

耐放射線性小型撮像素子としてCdTe光電変換膜を用いたFEA撮像素子用の窓層として、これまではCdS膜を用いてきた。しかし、リーク電流低減のためにCdS膜厚を大きくすると波長500 nm以下の感度が低下する。そこで、CdSよりも大きなバンドギャップを有する窓層が求められる。今回、CdS窓層の成膜法である大気中MOCVD法を用いてZnS窓層の成膜を行ったので報告する。得られた膜をX線回折により評価したところ、ウルツ鉱構造(WZ)の(002)あるいは閃亜鉛鉱構造(ZB)の(111)のピークが観測された。また、透過スペクトルを測定したところ、吸収端は400 nm程度であり、CdS（禁制帯幅：2.42 eV）よりも大きな禁制帯幅の膜が得られていることがわかった。