[21p-431B-1~7] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[21p-431B-7] InP基板上２-６族半導体光デバイスにおけるn側構造の電気特性解析

〇小林 穂貴¹、石井 健太¹、前田 慶治¹、野村 一郎¹ (1.上智大理工)

キーワード：光デバイス、II-VI、分子線エピタキシー