[21p-PB1-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[21p-PB1-1] バッファ層付ガラス基板へのGa添加ZnO膜の短ギャップRFマグネトロンスパッタリング成膜

〇松田 良信¹、松尾 直樹¹、石場 将希¹、古里 友宏¹、山下 敬彦¹ (1.長崎大院工)

キーワード：Ga添加ZnO、マグネトロンスパッタリング、バッファ層

Ar窒素混合ガスを用いて動作気圧0.35PaでアモルファスGZO：N膜を形成した後，大気中高温アニーリングで固相結晶化させて，結晶化した平均膜厚50nm程度のバッファ層を形成した．その上に，Arガス流量20sccm，動作圧力1Pa，RF電力200W，成膜時間900秒でGZO膜を成膜した．その結果，ターゲット浸食領域対向部付近の抵抗率を基板全体で10-4Ωcm台に低下させることができ，抵抗率の空間分布の均一性を向上させることが出きた．