The 79th JSAP Autumn Meeting, 2018

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8 Plasma Electronics » 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

[21p-PB1-1~18] 8.2 Plasma deposition of thin film, plasma etching and surface treatment

Fri. Sep 21, 2018 1:30 PM - 3:30 PM PB (Shirotori Hall)

1:30 PM - 3:30 PM

[21p-PB1-16] Numerical Analysis on Substrate-Incident Flux in Non-Equilibrium Atmospheric-Pressure Hydrocarbon Plasmas for Carbon Materials Fabrication

Masahiro Kojima1, Kazuma Ohki1, Akinori Oda1, Takayuki Ohta2, Hiroyuki Kousaka3 (1.Chiba Inst. Technol., 2.Meijo Univ., 3.Gifu Univ.)

Keywords:PECVD, Non-Equilibrium Plasma, Atmospheric Pressure Plasma

非平衡大気圧炭化水素プラズマを利用した成膜方法の一つであるプラズマCVD法はダイヤモンドライクカーボンやカーボンナノチューブなどの各種炭素材料の創製に利用されている.本報告では,成膜において極めて重要な基板に入射するフラックスに着目し,Heで希釈したH2/CH4ガスの非平衡大気圧プラズマの一次元流体モデルを構築した上で,その解析を行ったので報告する.