[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-4] 顕微ラマンイメージングと第一原理計算による電極付n形4H-SiC結晶の残留応力分布に関する研究

〇須田 潤¹、諏訪 智志¹、東郷 考起¹、水野 修吾¹ (1.中京大工)

キーワード：4H-SiC、ラマンイメージング、残留応力

4H-SiCは低損失かつ高速スイッチング特性をもつ大電力インバータ用半導体として期待されているが、4H-SiC によるパワー素子を200℃以上の高温で動作させるため，電極界面における局所的な応力は機械的な剥離，クラック等の信頼性低下の要因が指摘されている．本研究では,第一原理計算よりE₂モードの格子振動パターンを求め、3Dラマンイメージングによる高温領域の電極付n形4H-SiCの残留応力分布を検討した．