[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-5] SOI-Si/4H-SiCの直接貼り合わせとフォトダイオード形成

〇長谷部 史明¹、目黒 達也¹、牧野 高紘²、大島 武²、田中 保宣³、黒木 伸一郎¹ (1.広島大ナノデバイス、2.量研機構、3.産総研)

キーワード：シリコンカーバイド、貼り合わせ、イメージセンサ

近年、半導体分野の応用は多岐に渡り、特に福島第一原発の廃炉のための高放射線耐性のあるイメージセンサが求められている。SiC半導体は広いバンドギャップを持つことから、極限環境下で駆動可能な半導体材料の一つとして挙げられる。そこで、SiCトランジスタとSiフォトダイオードの利点を組み合わせることで、極限環境下で動作可能なイメージセンサの実現を目指す。