[21p-PB6-1~10] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[21p-PB6-7] Effect of gamma-rays irradiation on electrical characteristics of 4H-SiC JFET

〇Akinori Takeyama¹, Keigo Shimizu², Takahiro Makino¹, Yuichi Yamazaki¹, Takeshi Ohshima¹, Shin-ichiro Kuroki³, Yasunori Tanaka² (1.QST, 2.AIST, 3.RNBS,Hiroshima Univ.)

Keywords:SiC, JFET, gamma-ray irradiation

原子力施設など強い放射線環境下で長時間、安定して動作するセンサ等への応用を目指し、横型4H- SiC接合型電界効果トランジスタ (JFET)にガンマ線を照射し、電気特性の変化を調べた。室温にて⁶⁰Coガンマ線を2.2 MGy (SiO₂)まで照射した結果、照射によるトラップ準位生成などにより、ドレイン電流 (I_D)-ゲート電圧(V_G)曲線およびしきい値電圧(V_th)が正電圧側にシフトすることがわかった。