[21p-PB6-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[21p-PB6-7] 4H-SiC JFETへのガンマ線照射効果

〇武山 昭憲¹、清水 奎吾²、牧野 高紘¹、山﨑 雄一¹、大島 武¹、黒木 伸一郎³、田中 保宣² (1.量研、2.産総研、3.広島大学ナノデバイス)

キーワード：炭化ケイ素、接合型電界効果トランジスタ、ガンマ線照射

原子力施設など強い放射線環境下で長時間、安定して動作するセンサ等への応用を目指し、横型4H- SiC接合型電界効果トランジスタ (JFET)にガンマ線を照射し、電気特性の変化を調べた。室温にて⁶⁰Coガンマ線を2.2 MGy (SiO₂)まで照射した結果、照射によるトラップ準位生成などにより、ドレイン電流 (I_D)-ゲート電圧(V_G)曲線およびしきい値電圧(V_th)が正電圧側にシフトすることがわかった。