17:00 〜 17:15 △ [18p-C302-13] フォトダイオード構造を用いた原子拡散接合InGaAs/Ge/InGaAs界面の電子輸送特性評価 〇山田 友輝1、魚本 幸2、島津 武仁2、名田 允洋1、中島 史人1、松崎 松崎1 (1.NTT先端集積デバイス研、2.東北大学)