09:00 〜 09:15 [19a-G203-1] In-Sn-O電極適用によるInGaZnO-TFTの実効チャネル長縮小効果の抑制 〇片岡 淳司1、斉藤 信美1、上田 知正1、手塚 勉1、澤部 智明1、池田 圭司1 (1.東芝メモリ)