樋口透

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発表者・著者、共著者

2018年3月19日(月) 13:30 〜 15:30 P5 (ベルサール高田馬場)

一般セッション(ポスター講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[19p-P5-1~39] 6.3 酸化物エレクトロニクス

13:30 〜 15:30

[19p-P5-6] YSZ基板上に作製したVO₂薄膜の金属‐絶縁体転移現象の観測

森田巧¹、丹野友博¹、箕原誠人²、堀場弘司²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-33] Redox反応を利用したアモルファスWO_3-x薄膜のキャパシタンス素子

酒井貴弘¹、杉本天¹、林博洋¹、箕原誠人²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)

13:30 〜 15:30

[19p-P5-34] Sm-doped CeO_2-_d薄膜の中低温域における表面イオン伝導性

西岡大貴¹、並木航¹、蓑原誠人²、組頭広志²、〇樋口透¹ (1.東理大理、2.高エネ研)