15:30 〜 15:45 △ [17p-F214-7] シリコン(100)ジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット構造におけるサブレベル間遷移の光電流評価 〇吉川 弘文1,2,3、權 晋寛1、土江 貴洋1,3、和泉 真3、岩本 敏1,2、荒川 泰彦1,2 (1.東大ナノ量子機構、2.東大生研、3.シャープ)