[17p-F214-1~14] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

△ [17p-F214-7] Evaluation of inter-sublevel transition of InAs/GaAs quantum dot structures on on-axis Si (100) substrate by photocurrent measurement

〇Hirofumi Yoshikawa^1,2,3, Jinkwan Kwoen¹, Takahiro Doe^1,3, Makoto Izumi³, Satoshi Iwamoto^1,2, Yasuhiko Arakawa^1,2 (1.NanoQuine, Univ. of Tokyo, 2.IIS, Univ. of Tokyo, 3.SHARP)

Keywords:quantum dot, infrared photodetector

量子ドット赤外線検出器（QDIP：quantum dot infrared photodetectors）は、量子ドットにおける三次元方向の量子閉じ込めにより高感度および高温動作が期待されている。さらに、シリコン基板上QDIPが実現できれば、低コスト化、イメージャ大型化の点で大きなメリットとなる。今回我々は、シリコンジャスト基板において最適化されたGaAs/Si成長技術を用いることで、シリコンジャスト基板上InAs/GaAs量子ドット構造を作製し、サブレベル間遷移の光電流評価を行ったので報告する。