岡博史

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発表者・著者、共著者

2018年3月19日(月) 09:30 〜 11:45 B201 (53-201)

一般セッション(口頭講演)
| 3 光・フォトニクス
| 3.15 シリコンフォトニクス

[19a-B201-1~8] 3.15 シリコンフォトニクス

09:45 〜 10:00

[19a-B201-2] レーザー溶融結晶化による石英基板上引張歪み単結晶GeSnアレイの作製

〇岡博史¹、黒木伸一郎²、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工、2.広大RNBS)

10:00 〜 10:15

△ [19a-B201-3] 裏面照射型石英基板上GeSnフォトダイオードの近赤外受光特性評価

〇岡博史¹、細井卓治¹、志村考功¹、渡部平司¹ (1.阪大院工)