09:15 〜 09:30 △ [19a-C302-2] ホモエピタキシャル成長n型GaN層中の正孔トラップのサブバンドギャップ光照射時の正孔占有率の評価 〇鐘ヶ江 一孝1、堀田 昌宏1、木本 恒暢1、須田 淳1,2,3 (1.京大院工、2.名大未来材料・システム研究所、3.名大院工)