16:30 〜 16:45 [20p-D103-13] pチャネル4H-SiC MOSFETにおける酸化膜リーク電流伝導機構の解析 〇(B)根本 宏樹1、岡本 大1、染谷 満2、木内 祐治2、畠山 哲夫2、原田 信介2、岩室 憲幸1、矢野 裕司1 (1.筑波大学、2.産総研)