11:00 〜 11:15 [19a-F214-7] 昇温脱離法を用いたNEA-GaAsの形成過程におけるCsの吸着状態 〇田中 紘大1、稲垣 雄大1、飯島 北斗1、目黒 多加志1 (1.東京理科大学)