15:15 〜 15:30 △ [17p-E202-8] Si基板上GaN成長の応力に対するAlGaN中間層の組成・膜厚の影響 〇中原 拓也1、出浦 桃子1、百瀬 健1、中野 義昭1、杉山 正和2、霜垣 幸浩1 (1.東大院工、2.東大先端研)