TaeEon Bae

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発表者・著者、共著者

2018年3月17日(土) 13:30 〜 15:30 P8 (ベルサール高田馬場)

一般セッション(ポスター講演)
| 13 半導体
| 13.5 デバイス／集積化技術

[17p-P8-1~24] 13.5 デバイス／集積化技術

13:30 〜 15:30

▲ [17p-P8-3] Effects of the impurity concentration in the Ge sources on the electrical properties of Ge/Si TFETs

〇(D)TaeEon Bae¹、Kimihiko Kato¹、Ryota Suzuki¹、Ryosho Nakane¹、Mitsuru Takenaka¹、Shinichi Takagi¹ (1.Tokyo Univ.)