11:45 〜 12:00 [18a-E201-10] InGaZnOxヘテロチャネルによる薄膜トランジスタの高移動度・高信頼性化 〇(M1)東 龍之介1、田中 宏怜1、髙橋 誠一郎3、八島 勇3、古田 守1,2 (1.高知工科大学、2.総研、3.三井金属鉱業株式会社)