13:15 〜 13:30 [18p-G203-1] 複数回ストレスを利用した特性ばらつき自己修復手法によるSRAMデータ保持電圧の最小化 〇水谷 朋子1、竹内 潔1、更屋 拓哉1、小林 正治1、平本 俊郎1 (1.東大生研)