15:15 〜 15:30 [18p-G203-9] 酸化膜破壊およびPoly-Siヒューズを用いた標準CMOSプロセス準拠の複数回書き込みメモリ 〇松本 麻里1、小田 聖翔1、安田 心一1 (1.東芝研究開発センター)