Gandhi Kallarasan

発表者・著者、共著者

2018年3月19日(月) 09:00 〜 11:45 B203 (53-203)

一般セッション(口頭講演)
| 3 光・フォトニクス
| 3.13 半導体光デバイス

[19a-B203-1~9] 3.13 半導体光デバイス

09:45 〜 10:00

▲ [19a-B203-4] Lasing characteristics of 1.5µm GaInAsP ridge laser diode on directly bonded InP/Si substrate

〇(D)Gandhi Kallarasan¹、Naoki Kamada¹、Yuya Onuki¹、Kazuki Uchida¹、Hirokazu Sugiyama¹、Xu Han¹、Natsuki Hayasaka¹、Masaki Aikawa¹、Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia univ.)

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