布村正太

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発表者・著者、共著者

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 C204 (52-204)

一般セッション(口頭講演)
| 8 プラズマエレクトロニクス
| 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[19p-C204-1~17] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

16:45 〜 17:00

[19p-C204-12] プラズマ誘起欠陥の発生と修復～イオン照射に伴う残留欠陥の形成～

〇布村正太¹、坂田功¹、松原浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

17:00 〜 17:15

[19p-C204-13] プラズマ誘起欠陥の発生と修復～欠陥修復の活性化エネルギー～

〇布村正太¹、坂田功¹、松原浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)

2018年3月18日(日) 09:00 〜 11:45 D101 (56-101)

一般セッション(口頭講演)
| 16 非晶質・微結晶
| 16.3 シリコン系太陽電池

[18a-D101-1~10] 16.3 シリコン系太陽電池

10:00 〜 10:15

[18a-D101-5] 極薄a-Si:Hのギャップ内準位と輸送特性～水素希釈とアニールの効果～

〇布村正太¹、坂田功¹、松原浩司¹ (1.産総研太陽光発電研究センター)