安藤祐次

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発表者・著者、共著者

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:30 C302 (52-302)

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[19p-C302-1~18] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

15:15 〜 15:30

△ [19p-C302-7] Al₂O₃-gate AlGaN/GaN MOS HEMTの動作安定性

〇(M1)安藤祐次¹ (1.北大量集センター)