14:30 〜 14:45 [20p-E201-6] Mist-CVD法によるsapphire基板上α-Ga2O3の横方向選択成長 〇(B)吉村 暢浩1、神野 莉衣奈2、金子 健太郎2、藤田 静雄2 (1.京大工、2.京大院工)