[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

2018年3月20日(火) 13:45 〜 15:30 C202 (52-202)

△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
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13:45 〜 14:00

[20p-C202-1] Sputtered MoS₂ Thin Film Formation on CaF₂ (111) Substrate

〇(B)Zulkornain Bin Danial¹、Iriya Muneta¹、Naoki Hayakawa¹、Kuniyuki Kakushima¹、Kazuo Tsutsui¹、Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech)

14:00 〜 14:15

[20p-C202-2] ミストCVD により作製した二硫化モリブデン(MoS₂)薄膜の特性評価

〇(D)佐藤翔太¹、坂本雅仁²、新田紀子^3,4、刘丽¹、E. K. C. プラディープ⁴、鄧太江⁴、川原村敏幸^1,2,4 (1.高知工大院基盤工学、2.知能機械シス工、3.マテリアル工、4.総研)

14:15 〜 14:30

[20p-C202-3] 拡散・析出法により形成したh-BN/Niの軟X線吸収分光

〇鈴木哲¹、春山雄一¹ (1.兵庫県立大高度研)

14:30 〜 14:45

△ [20p-C202-4] 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製

〇東垂水直樹¹、川元颯巳¹、上野啓司²、長汐晃輔^1,3 (1.東大工、2.埼玉大、3.JST-さきがけ)

14:45 〜 15:00

[20p-C202-5] SnS₂合成とガスセンサーへの応用

〇林賢二郎^1,2、片岡真紗子¹、實宝秀幸^1,2、大淵真理^1,2、岩井大介¹、佐藤信太郎^1,2 (1.富士通研、2.富士通)

15:00 〜 15:15

[20p-C202-6] MoS₂/Si pnヘテロ構造デバイスの光起電力によるガス応答

〇鵜篭直也¹、田畑博史¹、久保理¹、片山光浩¹ (1.阪大院工)

15:15 〜 15:30

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

〇山末耕平¹、加藤俊顕²、金子俊郎²、長康雄¹ (1.東北大通研、2.東北大院工)

セッション情報

[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

[20p-C202-1] Sputtered MoS₂ Thin Film Formation on CaF₂ (111) Substrate

[20p-C202-2] ミストCVD により作製した二硫化モリブデン(MoS₂)薄膜の特性評価

[20p-C202-3] 拡散・析出法により形成したh-BN/Niの軟X線吸収分光

△ [20p-C202-4] 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製

[20p-C202-5] SnS₂合成とガスセンサーへの応用

[20p-C202-6] MoS₂/Si pnヘテロ構造デバイスの光起電力によるガス応答

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

認証

セッション情報

[20p-C202-1~7] 17.3 層状物質

[20p-C202-1] Sputtered MoS2 Thin Film Formation on CaF2 (111) Substrate

[20p-C202-2] ミストCVD により作製した二硫化モリブデン(MoS2)薄膜の特性評価

[20p-C202-3] 拡散・析出法により形成したh-BN/Niの軟X線吸収分光

△ [20p-C202-4] 酸化プロセスによる自己保護膜を持った極薄SnS層の作製

[20p-C202-5] SnS2合成とガスセンサーへの応用

[20p-C202-6] MoS2/Si pnヘテロ構造デバイスの光起電力によるガス応答

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO2上剥離WSe2観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性

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[20p-C202-1] Sputtered MoS₂ Thin Film Formation on CaF₂ (111) Substrate

[20p-C202-2] ミストCVD により作製した二硫化モリブデン(MoS₂)薄膜の特性評価

[20p-C202-5] SnS₂合成とガスセンサーへの応用

[20p-C202-6] MoS₂/Si pnヘテロ構造デバイスの光起電力によるガス応答

[20p-C202-7] 走査型非線形誘電率顕微鏡を用いたSiO₂上剥離WSe₂観察におけるキャリア分布の直流バイアス依存性