[17a-B203-1~10] 3.13 Semiconductor optical devices

[17a-B203-1] 20 Gbps operation of membrane GaInAs/InP p-i-n photodiode on Si

〇ZhiChen Gu¹, Daisuke Inoue¹, Xu Zheng¹, Tomohiro Amemiya^1,2, Nobuhiko Nishiyama^1,2, Shigehisa Arai^1,2 (1.Titech, 2.IIR)

Keywords:optical interconnect, photodiode

近年のLSI内素子の微細化に伴う問題の解決策として、光配線が注目されている。そこで我々は、半導体薄膜光集積回路をLSI上にハイブリッド実装する技術を提案しており、光源をはじめとした一連の光素子の研究を行っている[1-2]。中でも、光検出器は、回路全体の性能を律速する要因にもなっており、小型・高速・高感度化を同時に実現するような構造が強く望まれている。
今回、Si上集積型GaInAsバルク吸収層薄膜p-i-nフォトダイオード（PD）の高速特性の評価を行ったのでご報告する。