[17a-B203-1~10] 3.13 半導体光デバイス

[17a-B203-1] Si上GaInAs/InP p-i-n薄膜光検出器の20 Gbps動作

〇顧 之チン¹、井上 大輔¹、鄭 叙¹、雨宮 智宏^1,2、西山 伸彦^1,2、荒井 滋久^1,2 (1.東工大電電、2.東工大未来研)

キーワード：光インターコネクト、フォトダイオード

近年のLSI内素子の微細化に伴う問題の解決策として、光配線が注目されている。そこで我々は、半導体薄膜光集積回路をLSI上にハイブリッド実装する技術を提案しており、光源をはじめとした一連の光素子の研究を行っている[1-2]。中でも、光検出器は、回路全体の性能を律速する要因にもなっており、小型・高速・高感度化を同時に実現するような構造が強く望まれている。
今回、Si上集積型GaInAsバルク吸収層薄膜p-i-nフォトダイオード（PD）の高速特性の評価を行ったのでご報告する。