[17a-C202-1~7] 17.2 Graphene

[17a-C202-3] Growth of Graphene on a Single SiC Terrace

〇Yoshiaki Sekine¹, Hitoshi Teratani¹, Hiroki Hibino^1,2, Yoshitaka Taniyasu¹ (1.NTT BRL, 2.Kwansei Gakuin Univ.)

Keywords:graphene, SiC, single terrace

SiC基板の任意の場所に、リソグラフィー技術とステップフロー現象により、ステップフリーの広い単一テラスを作製し、その上に擬似自立型グラフェンを作製した。単一テラス上グラフェンとステップをまたぐグラフェンをラマン散乱分光により比較した。単一テラス上グラフェンは、歪みやキャリヤ濃度が均一であり、かつ、2Dピーク半値幅はsuspendedグラフェンと同程度であり、高品質なグラフェン成長を確認した。