[17a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-E202-1] Design of Deep UV Second Harmonic Generation Device with ZrO₂/AlN Multilayer Waveguide

〇Shuhei Yamaguchi¹, Masahiro Uemukai¹, Kazuya Takahashi², Motoaki Iwaya², Isamu Akasaki², Yusuke Hayashi³, Hideto Miyake³, Tomoya Yamada¹, Yasufumi Fujiwara¹, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 2.Fac. Sci. & Tech., Meijo Univ., 3.Mie Univ.)

Keywords:AlN, optical waveguide type wavelength conversion device, transverse quasi-phase- matching

AlNは大きな光学非線形性を有し、さらに吸収端波長210 nmであることから深紫外領域への波長変換に適している。我々は面内一斉にAlNの極性を反転し積層した極性反転積層構造やAlN上にZrO_​2を積層した線形・非線形媒質積層構造といった横型擬似位相整合構造第二高調波発生（SHG）デバイスを提案し、作製容易かつ高効率な深紫外SHGデバイスの実現を目指している。今回はZrO₂/AlN積層導波路を用いた深紫外SHGデバイスの設計を行ったので報告する。