[17a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [17a-E202-2] Fabrication of Polarity-Inverted GaN by Surface-Activated Wafer Bonding and Silicon Removal

〇Takuya Onodera¹, Masahiro Uemukai¹, Kazuya Takahashi², Motoaki Iwaya², Isamu Akasaki², Yusuke Hayashi³, Hideto Miyake³, Maki Kushimoto⁴, Heajeong Cheong⁵, Yoshio Honda⁵, Hiroshi Amano⁵, Ryuji Katayama¹ (1.Grad. School of Eng., Osaka Univ., 2.Fac. Sci. & Tech., Meijo Univ., 3.RIS, Mie Univ., 4.Dept. of Electronics, Nagoya Univ., 5.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:III-V semiconductor, Surface activated bonding

ウエハ接合技術を用いると、格子定数や結晶方位の異なる層同士の新規な積層構造の実現が可能である。AlN、GaNに代表される窒化物半導体はc軸方向に大きな分極電界を有するため、AlN同士、GaN同士のウエハ接合により極性を反転させた積層構造とすることで、高効率な波長変換素子の作製が可能となる。本研究では、接合界面の構造評価やチャネル導波路形成を容易に実施するため、シリコン基板上のGaNとサファイア基板上のGaNとの表面活性化接合およびシリコン基板の剥離プロセスを試みた。