[17a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-E202-1] ZrO₂ /AlN積層導波路を用いた深紫外第二高調波発生デバイスの設計

〇山口 修平¹、上向井 正裕¹、髙橋 一矢²、岩谷 素顕²、赤﨑 勇²、林 侑介³、三宅 秀人³、山田 智也¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名城大理工、3.三重大地域イノベ)

キーワード：AlN、光導波路型波長変換素子、横型擬似位相整合

AlNは大きな光学非線形性を有し、さらに吸収端波長210 nmであることから深紫外領域への波長変換に適している。我々は面内一斉にAlNの極性を反転し積層した極性反転積層構造やAlN上にZrO_​2を積層した線形・非線形媒質積層構造といった横型擬似位相整合構造第二高調波発生（SHG）デバイスを提案し、作製容易かつ高効率な深紫外SHGデバイスの実現を目指している。今回はZrO₂/AlN積層導波路を用いた深紫外SHGデバイスの設計を行ったので報告する。