[17a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [17a-E202-2] 表面活性化接合とSi基板剥離によるGaN極性反転構造の作製

〇小野寺 卓也¹、上向井 正裕¹、髙橋 一矢²、岩谷 素顕²、赤﨑 勇²、林 侑介³、三宅 秀人³、久志本 真希⁴、鄭 惠貞⁵、本田 善央⁵、天野 浩⁵、片山 竜二¹ (1.阪大院工、2.名城大理工、3.三重大地域イノベ、4.名大院工、5.名大未来材料・システム研究所)

キーワード：Ⅲ-Ⅴ族窒化物、表面活性化接合

ウエハ接合技術を用いると、格子定数や結晶方位の異なる層同士の新規な積層構造の実現が可能である。AlN、GaNに代表される窒化物半導体はc軸方向に大きな分極電界を有するため、AlN同士、GaN同士のウエハ接合により極性を反転させた積層構造とすることで、高効率な波長変換素子の作製が可能となる。本研究では、接合界面の構造評価やチャネル導波路形成を容易に実施するため、シリコン基板上のGaNとサファイア基板上のGaNとの表面活性化接合およびシリコン基板の剥離プロセスを試みた。