[17a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-E202-3] 量子光学応用のための光導波路型マッハツェンダ干渉計の開発：GaNリブ導波路型方向性結合器の特性評価

〇三輪 純也¹、紀平 将史¹、上向井 正裕¹、藤 諒健¹、藤原 康文¹、片山 竜二¹ (1.阪大院工)

キーワード：GaN、方向性結合器、光導波路

2つの方向性結合器で構成される光導波路型マッハツェンダ干渉計は光通信や量子情報処理の分野で高い応用性を持ち、光スイッチや量子ゲートの基本素子として用いられる。GaNなどの窒化物半導体は同種の材料で青紫色半導体レーザを実現できるうえ、高い光学非線形性を有することから、本研究室ではこれを利用した量子光源などの非線形光学デバイスの開発を進めている。量子光源やマッハツェンダ干渉計を含む将来の量子情報処理デバイスの構築を目指し、前回は光導波路マッハツェンダ干渉計のためのGaNリブ導波路型方向性結合器の設計・作製・評価について報告したが、本発表ではより詳細な分波特性について報告する。