[17a-F202-1~11] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[17a-F202-6] 時間分解X線吸収分光で観測したEuNi₂(Si_0.21Ge_0.79)₂の光誘起価数転移

横山 優一^1,2、川上 晃希³、平田 靖透^1,2、山本 航平^1,2、田久保 耕¹、阿部 晃大³、光田 暁弘⁴、和田 裕文⁴、魚住 孝幸³、三村 功次郎³、〇和達 大樹^1,2 (1.東大物性研、2.東大理、3.阪府大院工、4.九大院理)

キーワード：時間分解、X線吸収分光、4f電子

4f 電子系では、価数が時間的・空間的に変動する価数揺動の性質が特徴的であり、温度・圧力・
磁場などの外的刺激によって価数転移が起こる。我々は、SPring-8 のBL07LSUの時間分解軟X 線吸収分光装置を用い、EuNi₂(Si_0.21Ge_0.79)₂の光誘起の電子状態変化を時間分解測定によって観測した。800 nm のチタンサファイヤレーザーをポンプ光、放射光X 線をプローブ光とするポンププローブ法による測定により、光による価数転移が観測された。