[17a-F202-1~11] 7.4 量子ビーム界面構造計測

[17a-F202-7] [7. ビーム応用　分科内招待講演] 埋込界面およびバルク電子状態観測のための放射光硬X線光電子分光

〇池永 英司^1,2 (1.名大、2.高輝度光科学研究センター)

キーワード：硬X線光電子分光

硬Ｘ線光電子分光（HAXPES）は固体表面から深さ約20nmまでの界面電子状態を非破壊で得る点でバルク敏感性に優れている手法である。広角対物レンズ（総取込み角±32°）を用いた角度分解計測による物質内部から表面近傍の電子状態を一度取得する深さ分析に利用される。マイクロビームとの組み合わせによるマッピング、さらにin-situ電圧印可および湿潤な試料（固気・固液界面）を対象とした電子状態オペランド観察を行うことも可能となっている。